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参数目录49976
> DMP21D0UFD-7 MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
型号:
DMP21D0UFD-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMP21D0UFD-7 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
495 毫欧 @ 800mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
80pF @ 10V
功率 - 最大
930mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-XDFN
供应商设备封装
3-X1DFN1212
包装
标准包装
其它名称
DMP21D0UFD-7DIDKR
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